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IGBT的动态特性

点击次数:更新时间:2013-05-03 09:05:35来源:南阳防爆电机

在实际应用中,以集电极Ic 的动态波形来确定IGBT 的开关时间。 1 .开通过程 从IGBT 的简图来看,IGBT 实质上可以认为是MOSFET 驱动的GTR ,其开通过程大部分时间是作为MOSFET 来运行的

在实际应用中,以集电极Ic 的动态波形来确定IGBT 的开关时间。
1 .开通过程
从IGBT 的简图来看,IGBT 实质上可以认为是MOSFET 驱动的GTR ,其开通过程大部分时间是作为MOSFET 来运行的,其余部分时间作为MOSFET 和GTR 共同运行。集电极电流ic 的开通时间ton 由开通延迟时间td(on)和电流上升时间tri组成。集射极之间的电压uGE下降过程要比电流延迟一段时间,分为tfv1和tfv2 两段,这是由于内部MOSFET 和GTR 控制关系而出现的现象。
2 .关断过程
当施加反向控制电压时,集电极电流ic下降也要延迟一段时间td(off ) ,其下降过程包括两段时间tfi1和tfi2,其中tfi1对应于IGBT 内部的MOSFET 的关断过程,该段时间比较短暂;tfi2 对应于IGBT 内部的PNP 晶体管的关断过程,在此时间内,GTR 由于不承受反压,故其基区内的少子复合比较缓慢,造成集电极电流ic 下降较慢。


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